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长江存储成功研发128层闪存 国产存储器迈重要一步

发布时间:2020年04月13日 21:31 来源:中国新闻网

  中新网北京4月13日电 (记者 李晓喻)长江存储科技有限责任公司13日宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

  长江存储是中国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司,主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉,总投资240亿美元。

  作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。所谓QLC,是继当前TLC(3bit/cell)后3DNAND闪存新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。

  据介绍,每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1.33Tb的存储容量。

  长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示,“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。”

  闪存和SSD(固态硬盘)领域市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为:“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本,更适合作为大容量存储介质。比如可以作为服务器和数据中心的存储介质,适合AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”(完)

(编辑:裴春梅)
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